بدأت سامسونج فعلياً بإنتاج أقراص صلبة من النوع الساكن SSD ذات المنفذ PCIe بسعة 3,2 تيرا بايت والمبنية على أساس تكنولوجيا ذواكر الفلاش 3D V-NAND لاستخدامها بشكل لاحق في نظم المخدمات في المؤسسات.
و بشكل رسمي أعلن عملاق الالكترونيات الكوري الجنوبي عن البطاقة الجديدة من النوع PCIe المدعومة بتقنية الذواكر غير المتطايرة NVMe المصممة وفق الأقراص الصلبة ذات الحالة الساكنة SSD، تحمل هذه البطاقة الطراز SM1715 و تستخدم المفهوم 3D V-NAND الذي يتم من خلاله تكديس خلايا الفلاش فوق بعضها البعض و جنباً الى جنب للوصول الى البعد الثالث، أهم عوامل هذا المفهوم هو التوضع الرأسي للخلايا الذي يساهم في زيادة السعة بمقدار 100 ضعف عن المستوى الثنائي 2D.
وفق هذا المفهوم نكون قد حصلنا في النهاية على بطاقة بنصف الأبعاد من حيث الارتفاع و الطول HHHLhalf-height, half-length للوصول الى السعة 3،2 تيرا بايت، و بمعدل ضعفي سعة سابقتها من سامسونج 1,6 تيرا بايت.
تحدث بايك Jeeho Baek نائب مدير تسويق الذواكر في سامسونج: لقد بدأنا بالإنتاج الضخم لأقراص الحالة الساكنة الجديدة V-NAND وفق تقنية ذواكر الفلاش الغير متطايرة NVMe التي استطاعت تقديم أعلى مستويات متاحة للكثافة التخزينية و الأداء حتى اليوم، و نتوقع انفتاح مستقبلي كبير لهذا السوق.
هذا المنتج الجديد SM1715 هو نتاج مطور لسابقه XS1715 من سامسونج ، باستطاعته تأمين سرعة قراءة تتابعية بمعدل 3000 ميغابايت في الثانية و كتابة بمعدل 2200 ميغابايت في الثانية، كما أنه قادر على قراءة حتى 750000 عملية دخل / خرج عشوائية في الثانية و كتابة 130000 عملية دخل / خرج في الثانية .
0 التعليقات:
إرسال تعليق